属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | 40 V |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 50 µA 10 V |
漏极电流 (Id) - 最大值: | 1 mA |
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 4 V 1 µA |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 0.7pF 10V |
电阻 - RDS(On): | - |
功率 - 最大值: | 100 mW |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 3-XFDFN |
供应商器件封装: | SOT-883(XDFN3)(1x0.6) |
温度: | 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
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