属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | 剪切带(CT) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | 7 NPN 达林顿 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 1.6V 500µA,350mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | - |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 1000 350mA,2V |
功率 - 最大值: | 1.25W |
频率 - 跃迁: | - |
工作温度: | -40°C # 85°C(TA) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 16-SOL |
温度: | -40°C # 85°C(TA) |
型号:
品牌:
供货:锐单
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