属性 | 参数值 |
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品牌: | Renesas Electronics America Inc |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 24V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 43 毫欧 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5.7nC 4V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 330pF 10V |
功率 - 最大值: | 750mW(Ta) |
工作温度: | 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 4-XFLGA |
供应商器件封装: | 4-EFLIP-LGA(1.4x1.4) |
温度: | 150°C |
型号:
品牌:
供货:锐单
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货期:1-2天
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