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UPA2732UT1A-E1-AY
P沟道 耐压:30V 电流:40A 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):1.5W 类型:P沟道 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@20A,10V
品牌：Renesas Electronics America
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥15.014069
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UPA2732UT1A-E1-AY
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Renesas Electronics America Inc |
| 包装: | Bulk |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | Obsolete |
| FET 类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A (Ta) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.7mOhm 20A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 133 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3280 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.5W (Ta) |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商器件封装: | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| 封装/外壳: | 8-VDFN Exposed Pad |
| 温度: | 150°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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