VN2110K1-G
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
VN2110K1-G
Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌:MICROCHIP
库存:0
货期: 7~10工作日
VN2110K1-G
Microchip N沟道MOS管, Vds=100 V, SOT-23, 通孔安装, VN2110K1-G
品牌:MICROCHIP
库存:0
货期: 7~10工作日
VN2110K1-G
Microchip N沟道MOS管, Vds=100 V, SOT-23, 通孔安装, VN2110K1-G
品牌:MICROCHIP
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Microchip Technology |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4 欧姆 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 50 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 360mW(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00