VN2210N2

自营

VN2210N2

MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3

品牌:Microchip Technology

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥106.628301
最低起订

DigiKey

VN2210N2

MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥209.862971
最低起订

Mouser

VN2210N2

MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3

品牌:Microchip Technology

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥266.823606
最低起订

艾睿

VN2210N2

Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥247.246032
最低起订

VN2210N2

Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag

品牌:MICROCHIP

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3+ ¥338.45071
最低起订

VN2210N2

Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag

品牌:MICROCHIP

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥233.396079
最低起订

VN2210N2

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: Bag
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A (Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 350mOhm 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360mW (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-39
封装/外壳: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

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