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VS-ENQ030L120S
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟道 |
| 配置: | 三级反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 61 A |
| 功率 - 最大值: | 216 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.52V 15V，30A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 230 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 3.34 nF 30 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | EMIPAK-1B |
| 供应商器件封装: | EMIPAK-1B |
| 温度: | 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
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