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VS-GB100NH120N
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | - |
| 配置: | 单路 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 200 A |
| 功率 - 最大值: | 833 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.35V 15V，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 5 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 8.58 nF 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 双 INT-A-PAK（3 + 4） |
| 供应商器件封装: | 双 INT-A-PAK |
| 温度: | 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
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