WNSC101200WQ

自营

WNSC101200WQ

"1.2kV 10A 1.4V@10A"

品牌:WeEn

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥49.445897
最低起订

WNSC101200WQ

品牌:WeEn

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥63.179424
最低起订

自营

WNSC101200WQ

SILICON CARBIDE POWER DIODE

品牌:WeEn Semiconductors

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥439.16933
最低起订

DigiKey

WNSC101200WQ

SILICON CARBIDE POWER DIODE

品牌:WeEn Semiconductors

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1074.324548
最低起订

Mouser

WNSC101200WQ

SILICON CARBIDE POWER DIODE

品牌:WeEn Semiconductors

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥98.159974
最低起订

WNSC101200WQ

碳化硅肖特基二极管, 1.2KV, 10A, TO-247

品牌:WeEn

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥81.322388
最低起订

WNSC101200WQ

属性 参数值
品牌: WeEn Semiconductors
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 10 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容: 510pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-2
供应商器件封装: TO-247-2
工作温度 - 结: 175°C(最大)
温度:

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型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

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