ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14FTA VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
ZXMN3A14FTA
Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMN3A14FTA
Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌:Diodes Zetex
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMN3A14FTA
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, 150度 C, 1W
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMN3A14FTA
Days to ship 8
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMN3A14FTA
Days to ship 8
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMN3A14FTA
MOSFET, N-CH, 30V, 3.2A, 150DEG C, 1W
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMN3A14FTA
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.9 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, ZXMN3A14FTA
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMN3A14FTA
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 3.9 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, ZXMN3A14FTA
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 65 毫欧 3.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.6 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 448 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00