ZXMP4A57E6TA

ZXMP4A57E6TA

MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥17.382096
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自营

ZXMP4A57E6TA

MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.766529
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DigiKey

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MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥3.052558
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MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.649215
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MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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Mouser

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MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.979612
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ZXMP4A57E6TA

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 80 毫欧 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15.8 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 833 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.1W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-26
封装/外壳: SOT-23-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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