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ZTX849
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 5 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 30 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 220mV 200mA，5A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 100 1A，1V |
| 功率 - 最大值: | 1.2 W |
| 频率 - 跃迁: | 100MHz |
| 工作温度: | -55°C # 200°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | E-Line-3 |
| 供应商器件封装: | E-Line（TO-92 兼容） |
| 温度: | -55°C # 200°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
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