ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥3.32352
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自营

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MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

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销售单价: 1+ ¥1.288463
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MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

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销售单价: 1+ ¥0.607057
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MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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自营

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MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

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销售单价: 3000+ ¥1.117933
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DigiKey

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MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.931784
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ZXM61N03FTA

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

品牌:Diodes Incorporated

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.680988
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MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

品牌:Diodes Incorporated

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销售单价: 1+ ¥5.680988
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Mouser

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MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

品牌:Diodes Incorporated

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销售单价: 1+ ¥5.705393
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ZXM61N03FTA

品牌:DIODES

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销售单价: 3000+ ¥1.14662
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ZXM61N03FTA

品牌:DIODES

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.14662
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品牌:DIODES

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销售单价: 3000+ ¥1.236718
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销售单价: 10+ ¥3.106341
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ZXM61N03FTA

品牌:DIODES

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.899015
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ZXM61N03FTA

ZXM61N03F 30 V 0.22 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.560456
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ZXM61N03FTA

ZXM61N03F 30 V 0.22 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23

品牌:DIODES

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.752147
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ZXM61N03FTA

ZXM61N03F 30 V 0.22 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23

品牌:DIODES

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.810004
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ZXM61N03FTA

DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 25+ ¥3.249986
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ZXM61N03FTA

DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.4 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 750+ ¥3.152217
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ZXM61N03FTA

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 910mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.1 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 150 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 625mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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