STD6N52K3和STP6N52K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD6N52K3 STP6N52K3 FQD5N50CTM

描述 N沟道525 V, 1 Ω , 5 A, DPAK , TO- 220FP SuperMESH3 ?功率MOSFET N-channel 525 V, 1 Ω, 5 A, DPAK, TO-220FP SuperMESH3? Power MOSFETN 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道 500V 4A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

漏源极电阻 - 1 Ω 1.40 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 70 W 2.5 W

阈值电压 - 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 525 V 525 V 500 V

输入电容(Ciss) 670pF @50V(Vds) 670pF @50V(Vds) 625pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)

上升时间 11 ns - 46 ns

额定功率(Max) 70 W - 2.5 W

下降时间 18 ns - 48 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 5.00 A

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.00 A

长度 - 10.4 mm 6.73 mm

宽度 - 4.6 mm 6.22 mm

高度 - 15.75 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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