IRL510S和IRL510STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL510S IRL510STRLPBF SIHL510STRL-GE3

描述 MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKSIHL510STRL-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 5.6A, 100V, 2+Tab-Pin TO-263

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

耗散功率 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) -

额定功率(Max) 3.7 W - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

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