2N6083和BLV20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6083 BLV20 MRF317

描述 射频与微波晶体管130 ... 230兆赫调频模块应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONS射频(RF)双极晶体管 RF Transistor射频线NPN硅功率晶体管100W , 30-200MHz , 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Advanced Semiconductor M/A-Com

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 - SOT-123 316-01

安装方式 - - Chassis

引脚数 - - 4

耗散功率 - 20 W 270 W

最小电流放大倍数(hFE) - 10 10 @5A, 5V

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

击穿电压(集电极-发射极) - - 35 V

增益 - - 10 dB

额定功率(Max) - - 100 W

封装 - SOT-123 316-01

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

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