对比图
型号 PSMN1R5-30BLE SQM120N03-1M5L-GE3
描述 NXP PSMN1R5-30BLE 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 VVISHAY SQM120N03-1M5L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 3
封装 TO-263 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0013 Ω 0.0014 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 401 W 375 W
阈值电压 1.7 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
封装 TO-263 TO-263-3
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
产品生命周期 Unknown -
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
含铅标准 - Lead Free