BDP954和BDP954E6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDP954 BDP954E6327HTSA1

描述 PNP Silicon AF Power Transistor (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)SOT-223 PNP 100V 3A

数据手册 --

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - TO-261-4

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V

集电极最大允许电流 - 3A

最小电流放大倍数(hFE) - 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) - 5 W

耗散功率(Max) - 5 W

封装 - TO-261-4

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台