IRLMS2002TR和IRLMS2002TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLMS2002TR IRLMS2002TRPBF IRLMS2002PBF

描述 TSOP N-CH 20V 6.5AINFINEON  IRLMS2002TRPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOPINFINEON  IRLMS2002PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 6

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 µSOIC

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 6.50 A - -

漏源极电阻 30.0 mΩ (max) 30 mΩ 0.03 Ω

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 2W (Ta) 2 W 2 W

产品系列 IRLMS2002 - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0V (min) 20 V -

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 6.5A 6.5A

上升时间 11 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 1310pF @15V(Vds) 1310pF @15V(Vds) -

下降时间 16 ns 16 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta) -

额定功率 - 2 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 6 6

阈值电压 - 1.2 V 1.2 V

输入电容 - 1310 pF -

额定功率(Max) - 2 W -

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 µSOIC

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.75 mm -

高度 - 1.3 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台