对比图
型号 BLX15 MS1008 HF150-50S
描述 Transistor10安培肖特基势垒整流器 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERRF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, STUD PACKAGE-4
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
耗散功率 233 W - -
最小电流放大倍数(hFE) 15 15 @1.4A, 6V -
工作温度(Max) 200 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
击穿电压(集电极-发射极) - 55 V -
增益 - 14 dB -
额定功率(Max) - 233 W -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Bulk -
工作温度 - 200℃ (TJ) -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -