对比图
型号 IRLR3636PBF IRLR3636TRPBF IRLR2905TRPBF
描述 INFINEON IRLR3636PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IRLR3636TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.5 V 新INFINEON IRLR2905TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 143 W 143 W 69 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0068 Ω 0.0054 Ω 0.027 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 143 W 143 W 110 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V 2 V
输入电容 - 3779 pF 1700 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 - 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 99A 99A 42A
上升时间 216 ns 216 ns 84 ns
输入电容(Ciss) 3779pF @50V(Vds) 3779pF @50V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 143 W 110 W
下降时间 96 ns 69 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 143W (Tc) 143W (Tc) 110W (Tc)
反向恢复时间 27 ns - -
正向电压(Max) 1.3 V - -
工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -
通道数 - 1 -
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99