IXTP44N10T和IXTY44N10T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP44N10T IXTY44N10T

描述 通孔 N 通道 100V 44A(Tc) 130W(Tc) TO-220ABTO-252AA N-CH 100V 44A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 130W (Tc) 130 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 44A 44A

上升时间 47 ns 47 ns

输入电容(Ciss) 1262pF @25V(Vds) 1262pF @25V(Vds)

下降时间 32 ns 32 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc)

通道数 - 1

漏源极电阻 - 22 mΩ

阈值电压 - 4.5 V

漏源击穿电压 - 85 V

封装 TO-220-3 TO-252-3

长度 - 6.22 mm

宽度 - 6.73 mm

高度 - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台