2SK214和PHD9NQ20T,118

对比图

型号 2SK214 PHD9NQ20T,118 H5N2004DS

描述 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FETDPAK N-CH 200V 8.7A硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 TO-220 TO-252-3 -

额定电压(DC) 160 V - -

额定电流 500 mA - -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 160 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 500 mA 8.7A -

通道数 - 1 -

耗散功率 - 88 W -

上升时间 - 19 ns -

输入电容(Ciss) - 959pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 88 W -

下降时间 - 15 ns -

耗散功率(Max) - 88W (Tc) -

封装 TO-220 TO-252-3 -

宽度 - 6.22 mm -

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -