BC856A和SBC856ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856A SBC856ALT1G BC856ALT1G

描述 Transistor: PNP; bipolar; 80V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  BC856ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

极性 - PNP PNP, P-Channel

耗散功率 250 mW 0.3 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 125 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW 300 mW

额定电压(DC) - - -65.0 V

额定电流 - - -100 mA

针脚数 - - 3

增益频宽积 - - 100 MHz

直流电流增益(hFE) - - 125

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台