APT1201R6SVFRG和APT1201R6SVR

对比图

型号 APT1201R6SVFRG APT1201R6SVR APT1201R6SVFR

描述 D3PAK N-CH 1200V 8AN-CH 1200V 8APower Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1200V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

封装 TO-268 - -

额定电压(DC) 1.20 kV - -

额定电流 8.00 A - -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 280 W - -

输入电容 3.66 nF - -

栅电荷 230 nC - -

漏源极电压(Vds) 1.20 kV 1200 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8A -

上升时间 10 ns - -

输入电容(Ciss) 3050pF @25V(Vds) - -

下降时间 15 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 280000 mW - -

封装 TO-268 - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -