对比图
型号 IRF4905PBF IRF4905STRLPBF AUIRF4905STRL
描述 INFINEON IRF4905PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, -4 VINFINEON IRF4905STRLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, 20 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-252-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.02 Ω 20 mΩ 0.02 Ω
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 150 W 200 W 170 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 74A 74A 70A
上升时间 99 ns 99 ns 99 ns
输入电容(Ciss) 3400pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)
下降时间 96 ns 64 ns 64 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 170W (Tc) 200W (Tc)
额定功率 200 W 200 W -
输入电容 3400 pF 3500pF @25V -
额定功率(Max) 200 W 170 W -
漏源击穿电压 - 55 V -
长度 10.54 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 4.83 mm
高度 8.77 mm 4.83 mm 9.65 mm
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-252-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -