AD8512BR-REEL7和AD8512BRZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8512BR-REEL7 AD8512BRZ TL072CD

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational AmplifiersANALOG DEVICES  AD8512BRZ  运算放大器, 双路, 8 MHz, 2个放大器, 20 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, NSOIC, 8 引脚TL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗:200 μA(TL06x,每个放大器) 宽共模和差分电压范围 低噪声,通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真:0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率:16 V/μs(TL07x、TL08x),3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 36.0 V

输出电流 - - 60 mA

供电电流 2.2 mA 2.2 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - - 680 mW

共模抑制比 100 dB 86 dB 70 dB

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 4 MHz

输入补偿电压 80 µV 0.4 mV 3 mV

输入偏置电流 25 pA 0.075 nA 20 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 8 MHz 8 MHz 4 MHz

耗散功率(Max) - - 680 mW

共模抑制比(Min) 86 dB 86 dB 70 dB

针脚数 - 8 -

带宽 - 8 MHz -

输入阻抗 1.25 TΩ 1.25 TΩ -

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

军工级 No No -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台