DCX53-13和BCX53-10@115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DCX53-13 BCX53-10@115 BCX53TA

描述 Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin(3+Tab) SOT-89 T/RBCX53-10@115双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R; 1K

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 4

封装 SOT-89-3 - SOT-89-3

频率 200 MHz - 150 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1 W - 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

集电极最大允许电流 1A - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V - 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W - 1 W

耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW

额定功率 - - 1 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 25 @5mA, 2V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 SOT-89-3 - SOT-89-3

长度 - - 4.5 mm

宽度 - - 2.5 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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