1N753A-1E3和JANTX1N753A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N753A-1E3 JANTX1N753A-1 JANTX1N753A

描述 DO-35 6.2V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

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