MPS3646和BF370,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS3646 BF370,112 2N708

描述 开关Trasnistor ( NPN硅) Switching Trasnistor(NPN Silicon)SPT NPN 15V 0.1ATrans GP BJT NPN 15V 3Pin TO-18 Box

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-18

引脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @10mA, 1V 30 @10mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 120

额定电压(DC) 15.0 V - -

额定电流 300 mA - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 625 mW - -

集电极最大允许电流 0.3A 0.1A -

额定功率(Max) 625 mW 500 mW -

宽度 - - 5.84 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-18

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

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