2N7002K和VN2010L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002K VN2010L 2N7002E

描述 小信号MOSFET 60 V 380 mA时,单N通道, SOT -23 Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23N-Channel 200V (D-S) MOSFETsMOSFET N-CH 60V 300mA SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Panasonic (松下)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 - 3

漏源极电阻 2 Ω 10.0 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 350 mW 800 mW 350 mW

漏源击穿电压 - 200 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 0.38A 190 mA -

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) - 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW - 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW - 350mW (Ta)

针脚数 3 - -

阈值电压 2.5 V - -

上升时间 9 ns - -

下降时间 29 ns - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

高度 1.2 mm - 1 mm

长度 2.92 mm - -

宽度 1.3 mm - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - 150℃ (TJ)

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