BC858BWT106和MPSA92

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858BWT106 MPSA92 BC556B

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30V 1MA300V PNP High Voltage Transistor in TO-92, RoHSTransistor: PNP; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Taitron Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 SOT-323-3 - TO-92

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

额定功率 0.35 W - -

极性 PNP - -

耗散功率 350 mW - 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - -

集电极最大允许电流 0.1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 210 - -

最大电流放大倍数(hFE) 480 - -

额定功率(Max) 350 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW - 500 mW

增益频宽积 - - 150 MHz

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.8 mm - -

封装 SOT-323-3 - TO-92

工作温度 150℃ (TJ) - -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 - - EAR99

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