UF2840G和UF2840P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UF2840G UF2840P BLF546,112

描述 射频MOSFET功率晶体管, 4OW , 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 4OW, 28V 100 - 500 MHz射频MOSFET功率晶体管, 4OW , 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 4OW, 28V 100 - 500 MHzTrans RF MOSFET N-CH 65V 9A 5Pin CDFM Bulk

数据手册 ---

制造商 M/A-Com M/A-Com NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Screw Surface Mount

引脚数 5 - 5

封装 319-07 - SOT-268

频率 100MHz ~ 500MHz - 500 MHz

额定电流 - - 9 A

漏源极电阻 - - 600 mΩ

耗散功率 116 W - 145 W

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 65 V

输出功率 40 W - 80 W

增益 10 dB - 13 dB

测试电流 500 mA - 80 mA

输入电容(Ciss) - - 60pF @28V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 65 ℃

耗散功率(Max) 116000 mW - 145000 mW

额定电压 65 V - -

长度 - - 24.9 mm

宽度 - - 6.61 mm

高度 - - 4.9 mm

封装 319-07 - SOT-268

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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