对比图
型号 IRF7606TR IRF7606TRPBF
描述 Micro P-CH 30V 3.6AP 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8
封装 TSSOP-8 Micro-8
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
极性 P-CH P-Channel
耗散功率 1.8W (Ta) 1.8 W
产品系列 - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 3.6A 3.6A
上升时间 - 20 ns
输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.8 W 1.8 W
耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
额定功率 - 1.8 W
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.075 Ω
下降时间 - 39 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TSSOP-8 Micro-8
长度 - 3 mm
宽度 - 3 mm
高度 - 0.86 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon