IRF130和IRF1404ZSPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF130 IRF1404ZSPBF 2N6758

描述 INFINEON  IRF130  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF1404ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 VN沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

封装 TO-204 TO-263-3 TO-204

引脚数 3 3 -

耗散功率 75 W 200 W 4W (Ta), 75W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 40 V 200 V

额定功率(Max) - 200 W 4 W

耗散功率(Max) 75000 mW 220000 mW 4W (Ta), 75W (Tc)

额定功率 - 220 W -

通道数 - 1 -

针脚数 2 3 -

漏源极电阻 0.18 Ω 0.0037 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 4 V 4 V -

连续漏极电流(Ids) - 190A -

上升时间 80 ns 110 ns -

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 4340pF @25V(Vds) -

下降时间 45 ns 58 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-204 TO-263-3 TO-204

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 - Tube Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

军工级 Yes - -

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