对比图
型号 IRFR120TRPBF IRFR120ZPBF IRFR120NTRPBF
描述 TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩN沟道,Vdss=100V,Idss=8.7A100V,9.4A,单N沟道HEXFET功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 8.70 A 9.40 A
漏源极电阻 270 mΩ - 0.21 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 35 W 48 W
产品系列 - IRFR120Z IRFR120N
输入电容 - - 330pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 7.70 A 8.70 A 9.40 A
上升时间 27 ns 26.0 ns 23.0 ns
输入电容(Ciss) 360pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 35 W 48 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
下降时间 17 ns - -
耗散功率(Max) 2500 mW - -
长度 - - 6.73 mm
高度 - - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
最小包装 2000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC