对比图
型号 FQB4N20TM PHD9NQ20T BSP297L6327
描述 N沟道 200V 3.6AN-channel TrenchMOS™ transistorMosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Philips (飞利浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-263-3 - TO-261
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 3.60 A - 660 mA
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 3.13W (Ta), 45W (Tc) - 1.50 W
输入电容 - - 45.0 pF
栅电荷 - - 1.50 nC
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 3.60 A - 200 mA
输入电容(Ciss) 220pF @25V(Vds) - 357pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W - 1.8 W
漏源极电阻 1.40 Ω - -
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 45W (Tc) - -
封装 TO-263-3 - TO-261
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Tape - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
ECCN代码 EAR99 - -