FDPF14N30和FQPF14N30

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDPF14N30 FQPF14N30

描述 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 290 mΩ 290 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V

漏源击穿电压 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 8.50 A

上升时间 105 ns -

输入电容(Ciss) 1060pF @25V(Vds) 1360pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 35 W 50 W

下降时间 75 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 35W (Tc) 50W (Tc)

额定电压(DC) - 300 V

额定电流 - 14.4 A

栅源击穿电压 - ±30.0 V

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR -

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