对比图
型号 NSS1C201MZ4T1G NSS1C201MZ4T3G NSV1C201MZ4T1G
描述 PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管100 V， 2.0 A ，低VCE （ sat）的NPN晶体管 100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) NPN TransistorNSV1C201MZ4T1G 编带
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 SOT-223-3 TO-261-4
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
针脚数 4 - 4
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2 W 2000 mW 2 W
增益频宽积 100 MHz - -
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 2A 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 120 @500mA, 2V 120 @500mA, 2V 120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) 150 150 -
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
直流电流增益(hFE) 40 - 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
长度 6.7 mm 6.5 mm -
宽度 3.7 mm 3.5 mm -
高度 1.65 mm 1.57 mm -
封装 TO-261-4 SOT-223-3 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99