M36DR432AD85ZA6和M36DR432B100ZA6T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M36DR432AD85ZA6 M36DR432B100ZA6T M36DR432B100ZA6C

描述 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8MM, 0.8MM PITCH, STACK, LFBGA-6632兆位的2Mb X16 ,双行,页闪存和4兆位256K x16的SRAM ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory ProductMemory Circuit, 2MX16, PBGA66, 0.8MM PITCH, STACK, LFBGA-66

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Numonyx

分类

基础参数对比

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

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