TLV2371IDR和TLV2372ID

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2371IDR TLV2372ID TLV2371ID

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLV2371IDR  芯片, 运算放大器, 1路, 2.4MHz, 低功率, SOIC8TEXAS INSTRUMENTS  TLV2372ID  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLV2371ID  运算放大器, 单路, 3 MHz, 1个放大器, 2 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 16.0 V 16.0 V

输出电流 8mA @5V 5 mA 8mA @5V

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 1 2 1

通道数 1 2 1

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.71 W 710 mW 0.71 W

共模抑制比 55 dB 55dB ~ 72dB 55 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 2.4 MHz 3 MHz 3 MHz

转换速率 2.40 V/μs 2.40 V/μs 2.40 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

输入补偿电压 2 mV 6 mV 2 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW 710 mW

共模抑制比(Min) 55 dB 55 dB 55 dB

电源电压 - 2.7V ~ 16V 2.7V ~ 16V

电源电压(Max) - 16 V 16 V

工作电压 - 2.7V ~ 16V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

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