MSD602-RT1和MSD602-RT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSD602-RT1 MSD602-RT1G MSD602-RT2

描述 NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface MountNPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface MountSC-59 NPN 50V 0.5A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SC-59-3 SC-59-3 SC-59

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.2 W 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @150mA, 10V 120 @150mA, 10V -

额定功率(Max) - 200 mW -

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 240 - -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.5 mm -

高度 - 1.09 mm -

封装 SC-59-3 SC-59-3 SC-59

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

最小包装 3000 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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