对比图
型号 IRF640SPBF STB19NF20 IRF640NSPBF
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAKINTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK 新
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 18.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.18 Ω - 0.15 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 130 W 90 W 150 W
产品系列 - - IRF640NS
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - - 200 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A - 18.0 A
上升时间 51 ns 22 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 90 W 150 W
下降时间 36 ns 11 ns 5.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130 W 90W (Tc) 150000 mW
通道数 - 1 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.75 mm -
宽度 9.65 mm 10.4 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 2000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -