TL081CDR和TL081IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL081CDR TL081IDR TL081CD

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TL081CDR  运算放大器, 单路, 3 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TL081IDR  运算放大器, 单路, 3 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TL081CD  运算放大器, 单路, 3 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 18.0 V 15.0 V

供电电流 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

耗散功率 680 mW 0.68 W 0.68 W

共模抑制比 70 dB 75 dB 70 dB

输入补偿漂移 18.0 µV/K 18.0 µV/K 18.0 µV/K

带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

转换速率 13.0 V/μs 13.0 V/μs 13.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 680 mW 680 mW 680 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 75 dB 70 dB

电源电压 7V ~ 36V 7V ~ 36V 7V ~ 36V

电源电压(Max) 36 V 36 V 36 V

电源电压(Min) 7 V 7 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 2014/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台