BD243C和BD539C-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD243C BD539C-S TIP29CTU

描述 STMICROELECTRONICS  BD243C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 30 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 5A NPNNPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz - 3 MHz

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 6.00 A - 1.00 A

额定功率 65 W - -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 65 W 45 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 12 @3A, 4V 15 @1A, 4V

额定功率(Max) 65 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 30 - 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 65000 mW 45000 mW 30 W

集电极最大允许电流 - 5A 1A

增益频宽积 - - 3 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 75

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.6 mm 4.7 mm 4.83 mm

高度 9.15 mm 9.3 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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