FJV3106R和FJV3107RMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV3106R FJV3107RMTF

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor特性•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=22KΩ,R2=47KΩ)•FJV4107R的补充

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3

引脚数 - 3

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

额定电压(DC) - 50.0 V

额定电流 - 100 mA

耗散功率 - 0.2 W

最小电流放大倍数(hFE) - 68 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 68

额定功率(Max) - 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 SOT-23 SOT-23-3

长度 - 2.92 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.93 mm

产品生命周期 - Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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