对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR MPSW01G 功率晶体管, NPNTRANSISTOR NPN 30V 1000mA E-LINETrans GP BJT NPN 30V 1A 3Pin TO-226 Ammo
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226
引脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
增益频宽积 - - 50 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 100 @500mA, 2V 60 @100mA, 1V
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 0.01 W
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 1.00 A 1.00 A -
耗散功率 1 W 1000 mW -
额定功率(Max) 1 W 1 W -
频率 50 MHz - -
针脚数 3 - -
集电极击穿电压 40.0 V - -
直流电流增益(hFE) 50 - -
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Box Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ -