SI4563DY-T1-E3和SI4563DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4563DY-T1-E3 SI4563DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3

描述 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOICMOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOICMOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 2390pF @20V(Vds) 2390pF @20V(Vds) 855pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 3.25 W 3.25 W -

漏源极电阻 16 mΩ - 0.0145 Ω

极性 N-Channel, P-Channel - N-Channel, P-Channel

耗散功率 - - 3.1 W

阈值电压 - - 800 mV

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

连续漏极电流(Ids) 8.00 A - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

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