MMBZ5229B-V-GS08和MMBZ5229BLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ5229B-V-GS08 MMBZ5229BLT1G MMBZ5229B

描述 VISHAY  MMBZ5229B-V-GS08  齐纳二极管, 4.3V, 225mW, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBZ5229BLT1G  单管二极管 齐纳, 稳压器, 4.3 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °CZener Diode, 4.3V V(Z), 5.12%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, SOT-23, 3Pin

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

针脚数 3 3 -

耗散功率 225 mW 225 mW -

稳压值 4.3 V 4.3 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

额定电压(DC) - 4.30 V -

容差 - ±5 % -

额定功率 - 225 mW -

正向电压 - 900mV @10mA -

测试电流 - 20 mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 225 mW -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

材质 - Plastic -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台