对比图
型号 IRFR3518 IRFR3518TRLPBF IRFR3518PBF
描述 DPAK N-CH 80V 38ADPAK N-CH 80V 38AN 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK-252 DPAK TO-252-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 38A 38A 38A
产品系列 IRFR3518 - -
上升时间 25 ns - 25 ns
下降时间 13 ns - 13 ns
额定功率 - - 110 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.029 Ω
耗散功率 - - 110 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容(Ciss) - - 1710pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 110W (Tc)
封装 DPAK-252 DPAK TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Rail, Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - 无铅
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)